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IceMOS 开发耐辐射高压超级结 SiC MOSFET

英国航天局已授予 IceMOS Technology 300,000 英镑资金的一部分，用于开发用于太空应用的 SiC 功率晶体管的项目。 这是通过空间技术开发计划 (STEP) 与英国太空和国防贸易协会 ADS 合作完成的。

位于北爱尔兰贝尔法斯特的 IceMOS Technology 卓越制造中心将专注于提供先进的工程衬底，实现耐辐射、高压 SiC 工程漏极 MOSFET，用于低地球轨道航天器上更高效的高功率分布电气系统 (LEO)、中地球轨道 (MEO) 和深空探索。

该公司表示，合并宽带隙 (WBG) 功率 MOSFET 漏极结构，可以定制以在恶劣的空间辐射环境中保持稳健，将创造出一种新型的垂直功率晶体管。 商业应用旨在满足社会对支持人工智能的云服务和数据中心、电动汽车快速充电站、光伏发电等系统中日益增长的节能需求。

IceMOS Technology 创始人兼董事长 Samuel J. Anderson 表示：“凭借这一奖项，IceMOS Technology 具有独特的优势，可以通过显着改进高压功率耐辐射晶体管来加速英国太空计划的进展。” “很荣幸成为仅有的三家公司之一被选中参与这一著名计划，通过开发可以降低成本并显着提高整体系统性能的前沿技术来增强英国的太空能力。”

“创意人才和太空技术专长遍及英国各地。这些项目是与 ADS 合作交付的，是北爱尔兰不断发展的太空部门的杰出例子。它们将有助于促进投资、创造就业机会和 在太空供应链中开发新的能力，”英国航天局首席执行官保罗贝特说。

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